Dynamic data restore in thyristor-based memory device

   
   

A dynamically-operating restoration circuit (106) is used to apply a voltage or current restore pulse signal to thyristor-based memory cells (108) and therein restore data in the cell using the internal positive feedback loop of the thyristor (110). In one example implementation, the internal positive feedback loop in the thyristor (110) is used to restore the conducting state of a device after the thyristor current drops below the holding current. A pulse and/or periodic waveform are defined and applied to ensure that the thyristor is not released from its conducting state. The time average of the periodic restore current in the thyristor may be lower than the holding current threshold. While not necessarily limited to memory cells that are thyristor-based, various embodiments of the invention have been found to be the particularly useful for high-speed, low-power memory cells in which a thin capacitively-coupled thyristor is used to provide a bi-stable storage element.

Un circuit defonctionnement de restauration (106) est utilisé pour appliquer une tension ou un signal d'impulsion courant de restauration aux cellules de mémoire thyristor-basées (108) et pour reconstituer là-dedans des données dans la cellule en utilisant la boucle de rétroaction positive interne du thyristor (110). Dans une exécution d'exemple, la boucle de rétroaction positive interne dans le thyristor (110) est employée pour reconstituer l'état de conduite d'un dispositif après les baisses courantes de thyristor au-dessous du courant de possession. Une impulsion et/ou une forme d'onde périodique sont définies et appliquées pour s'assurer que le thyristor n'est pas libéré de son état de conduite. La moyenne de temps du courant périodique de restauration dans le thyristor peut être inférieure au seuil de courant de possession. Tandis que pas nécessairement limités aux cellules de mémoire qui thyristor-sont basées, de divers modes de réalisation de l'invention se sont avérés particulièrement les utiles pour les cellules de mémoire à grande vitesse et de basse puissance en lesquelles un thyristor capacitively-couplé mince est utilisé pour fournir un élément bistable de stockage.

 
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