A semiconductor laser is formed on a semiconductor substrate with an array
of laterally spaced laser device elements each including a second order
distributed feedback grating bounded by distributed Bragg reflector
gratings and a central phase shift in the distributed feedback grating.
The device elements in which the distributed feedback grating and the
distributed Bragg reflector gratings are formed have a lower effective
index than the index of the interelement regions and are spaced so as to
form an antiguided array. A two-dimensional semiconductor array laser may
be formed of four or more of the semiconductor array devices arranged on
the substrate to provide long range coherent coupling via traveling waves
of light between the device elements.
Ένα λέιζερ ημιαγωγών διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών με μια σειρά πλευρικά χωρισμένων κατά διαστήματα στοιχείων συσκευών λέιζερ κάθε ενός συμπεριλαμβανομένου ενός δεύτερη διανεμημένου διαταγή κιγκλιδώματος ανατροφοδότησης οριακού από τα διανεμημένα κιγκλιδώματα ανακλαστήρων Bragg και μια κεντρική μετατόπιση φάσης στο διανεμημένο κιγκλίδωμα ανατροφοδότησης. Τα στοιχεία συσκευών στα οποία το διανεμημένο κιγκλίδωμα ανατροφοδότησης και τα διανεμημένα κιγκλιδώματα ανακλαστήρων Bragg διαμορφώνονται έχουν έναν χαμηλότερο αποτελεσματικό δείκτη από το δείκτη των περιοχών interelement και χωρίζονται κατά διαστήματα ώστε να διαμορφωθεί η σειρά. Ένα δισδιάστατο λέιζερ σειράς ημιαγωγών μπορεί να διαμορφωθεί τεσσάρων ή περισσότεροι από τις συσκευές σειράς ημιαγωγών που κανονίζονται στο υπόστρωμα για να παρέχουν τη συνεπή σύζευξη μακροχρόνιας σειράς μέσω των διακινούμενων κυμάτων του φωτός μεταξύ των στοιχείων συσκευών.
