The present invention is related to the realization of a simplified bottom
electrode stack for ferroelectric memory cells. More particularly, the
invention is related to ferroelectric memory cells wherein the
ferroelectric capacitor is positioned directly on top of a contact plug.
The bottom electrode stack is prepared by depositing a ferroelectric film
atop an Ir or Ru metal electrode layer, then annealing the ferroelectric
layer in an oxygen ambient wherein the partial pressure of oxygen is
controlled at a level sufficient to oxidize the ferroelectric layer but
not at a level sufficient to oxidize the metal electrode layer
La presente invenzione è collegata con la realizzazione di una pila semplificata dell'elettrodo inferiore per le cellule di memoria ferroelectric. Più specialmente, l'invenzione è collegata con le cellule di memoria ferroelectric in cui il condensatore ferroelectric è posizionato direttamente in cima ad una spina del contatto. La pila dell'elettrodo inferiore è preparata depositando una pellicola ferroelectric in cima ad uno strato di Ru o ir del metallo dell'elettrodo, allora temprante lo strato ferroelectric in un ossigeno ambientale in cui la pressione parziale di ossigeno è controllata ad un livello sufficiente per ossidare lo strato ferroelectric ma non ad un livello sufficiente per ossidare lo strato dell'elettrodo del metallo
