A first metallization layer is locally formed on the surface of a semiconductor substrate thereby leaving portions of the semiconductor substrate's surface exposed. A first silicon oxide layer is then formed in such a manner that it covers the exposed portions of the semiconductor substrate's surface and the first metallization layer. This is followed by the formation of an HMDS molecular layer on the first silicon oxide layer. Then, a second silicon oxide is formed on the molecular layer by means of a CVD process utilizing the chemical reaction of ozone with TEOS. Finally, a second metallization layer is locally formed on the second silicon oxide layer.

Eine erste Metallizationschicht wird am Ort auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrates gebildet, das dadurch Teile der Oberfläche des Halbleitersubstrates herausgestellt verläßt. Eine erste Silikonoxidschicht wird dann gebildet, derart daß sie die herausgestellten Teile der Oberfläche des Halbleitersubstrates und der ersten Metallizationschicht umfaßt. Dieses wird von der Anordnung einer HMDS molekularen Schicht auf der ersten Silikonoxidschicht gefolgt. Dann wird ein zweites Silikonoxid auf der molekularen Schicht mittels eines CVD Prozesses gebildet, der die chemische Reaktion des Ozons mit TEOS verwendet. Schließlich wird eine zweite Metallizationschicht am Ort auf der zweiten Silikonoxidschicht gebildet.