A method for fabricating a damascene interconnect includes the steps of depositing a metal layer of the surface of an insulating film; etching the metal layer and the insulating film to form an insulating groove; depositing a silicon layer on an upper surface on the metal layer and on each sidewall and a bottom of the insulating groove; annealing the silicon layer and the metal layer to form a silicide layer; implanting ions in the bottom of the insulating groove; and depositing an interconnect material in the insulating groove using selective chemical vapor deposition. In one embodiment, the metal layer is a titanium layer, the interconnect material is tungsten, and the implanted ions are arsenic ions.

Μια μέθοδος για ένα damascene διασυνδέει περιλαμβάνει τα βήματα της κατάθεσης ενός στρώματος μετάλλων της επιφάνειας μιας μονώνοντας ταινίας χάραξη του στρώματος μετάλλων και της μονώνοντας ταινίας για να διαμορφώσει ένα αυλάκι μόνωσης καταθέτοντας ένα στρώμα πυριτίου σε μια ανώτερη επιφάνεια στο στρώμα μετάλλων και σε κάθε sidewall και ένα κατώτατο σημείο του αυλακιού μόνωσης ανόπτηση του στρώματος πυριτίου και του στρώματος μετάλλων για να διαμορφώσει ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου εμφύτευση των ιόντων στο κατώτατο σημείο του αυλακιού μόνωσης και καταθέτοντας ένα υλικό διασύνδεσης στο αυλάκι μόνωσης που χρησιμοποιεί την εκλεκτική απόθεση χημικού ατμού. Σε μια ενσωμάτωση, το στρώμα μετάλλων είναι ένα στρώμα τιτανίου, το υλικό διασύνδεσης είναι βολφράμιο, και τα εμφυτευμένα ιόντα είναι ιόντα αρσενικού.