A method for fabricating a CMOS transistor having a salicide structure is disclosed. A naturally formed oxide film covering surfaces of polycrystalline silicon film patterns, a P-type diffusion layer and an N-type diffusion layer is removed. Then, by introducing at least a titanium tetrachloride gas and a hydrogen gas into an electron cyclotron resonance plasma excited chemical vapor deposition system using microwaves (or into a plasma excited chemical vapor deposition system using helicon waves), titanium/silicide films are selectively formed on surfaces of the polycrystalline silicon film patterns and the P-type diffusion layer and the N-type diffusion layer. The crystal structure of the titanium/silicide films is of a C54 structure. During the formation of the titanium/silicide film, it is possible to suppress the occurrence of bridging and condensation phenomena.

Un metodo per fabbricare un transistore di CMOS che ha una struttura di salicide è rilevato. Le superfici naturalmente formate dell'ossido del covering della pellicola dei modelli policristallini della pellicola del silicone, di un P-tipo strato di diffusione e di un N-tipo strato di diffusione è rimossa. Allora, introducendo almeno un gas di titanio del tetracloruro e un idrogeno in un sistema di deposito di vapore chimico eccitato plasma di risonanza del ciclotrone dell'elettrone usando le microonde (o in un sistema di deposito di vapore chimico eccitato plasma usando le onde del helicon), le pellicole di titanium/silicide sono formate selettivamente sulle superfici dei modelli policristallini della pellicola del silicone ed il P-tipo strato di diffusione ed il N-tipo strato di diffusione. La struttura di cristallo delle pellicole di titanium/silicide è di una struttura C54. Durante la formazione della pellicola di titanium/silicide, è possibile sopprimere il caso dei fenomeni di condensazione e gettare un ponte.