A method for fabricating silicon-on-insulator (SOI) wafers which is capable of simplifying the fabrication process while improving the productivity of SOI wafers. In accordance with this method, a first wafer formed with a thermal oxide film is bonded to a second wafer formed with an oxygen ion-implanted region and a hydrogen ion-implanted region. The bonded wafer structure is annealed and then cut along the hydrogen ion-implanted region, so that it is divided into two wafer structures. The wafer structure including the first wafer is annealed to obtain a strengthened chemical coupling property. The wafer structure including the second wafer is annealed to oxidize the oxygen ion-implanted region of the second wafer, thereby forming an oxide film in the second wafer. The first and second wafers are then planarized, thereby forming a pair of SOI wafers.

Метод для изготовлять вафли кремни-на-izol4tora (SOI) способно упрощать процесс изготовления пока улучшающ урожайность вафель SOI. В соответствии с этим методом, первая вафля сформированная с термально пленкой окиси скреплена к второй вафле сформированной с зоной ион-implantirovanno1 кислородом и ион-implantirovanno1 водоподом зоной. Обжжена bonded структура вафли и после этого отрезок вдоль зоны ион-implantirovanno1 водоподом, так, что она будет разделена в 2 структуры вафли. Структура вафли включая первую вафлю обжжена для того чтобы получить усиленное химически свойство соединения. Структура вафли включая вторую вафлю обжжена для того чтобы окислить зону ион-implantirovannuh кислородом второй вафли, таким образом формируя пленку окиси в второй вафле. Первые и вторые вафли после этого planarized, таким образом формирующ пару вафель SOI.