A technique for self-aligned silicidation of semiconductor devices is disclosed. This technique includes the formation of polysilicon device features extending from a semiconductor substrate. A coating is deposited on the features and substrate. Chemical mechanical polishing is performed to remove a portion of the coating to expose a polysilicon surface of the features. A metallic layer is formed to contact the exposed polysilicon surface of each of the features. A silicide layer is formed for each feature from the polysilicon and the metallic layer in contact therewith.

Una técnica para el silicidation uno mismo-alineado de los dispositivos de semiconductor se divulga. Esta técnica incluye la formación de las características del dispositivo del polysilicon que extienden de un substrato del semiconductor. Una capa se deposita en las características y el substrato. El pulir mecánico químico se realiza para quitar una porción de la capa para exponer una superficie del polysilicon de las características. Una capa metálica se forma para entrar en contacto con la superficie expuesta del polysilicon de cada uno de las características. Una capa del silicide se forma para cada característica del polysilicon y la capa metálica en contacto therewith.