A semiconductor wafer is planarized by first mapping the flatness profile and then etching the wafer according to the flatness profile. Mapping is accomplished by scanning the wafer with a light beam. The flatness information is obtained by a phase detector comparing the phase of the reflected light beam and a reference light, and is then stored in a memory. The etching is implemented with scanning chemical ion beam etching, in which a reactive gas etches the wafer from spot to spot according to the instantaneous volume of reacting gas or the potential at the wafer, and is controlled by the data stored in the memory. The method can be used to planarize both semiconductor and metal.

Een halfgeleiderwafeltje is planarized door eerste afbeelding het vlakheidsprofiel en dan het etsen van het wafeltje volgens het vlakheidsprofiel. De afbeelding wordt verwezenlijkt door het wafeltje met een lichtstraal af te tasten. De vlakheidsinformatie wordt verkregen door een fasedetector vergelijkend de fase van de weerspiegelde lichtstraal en een verwijzingslicht, en in een geheugen dan opgeslagen. De ets wordt uitgevoerd met aftasten chemische ionenstraal ets, waarin een reactief gas het wafeltje van vlek aan vlek volgens het onmiddellijke volume van reagerend gas of het potentieel bij het wafeltje etst, en door de gegevens die in het geheugen gecontroleerd worden opgeslagen. De methode kan worden gebruikt planarize zowel halfgeleider als metaal.