A method for forming a superconducting device using a selective etching technique on superconducting thin films. The method utilizes rapid etching which combines ion implantation with chemical etching. The portions of the superconducting film to be retained are masked from the ion implantation process. The chemical etching process then removes the implanted portions of the superconducting film at a much faster rate than the portions not implanted so that only the un-implanted portions remain. The resulting superconducting devices can be used, e.g., as nanostructures and nano tips, bolometers, multilayer RF coils, microwave waveguides and filters.

Une méthode pour former un dispositif supraconducteur en utilisant une technique sélective gravure à l'eau-forte sur les couches minces supraconductrices. La méthode utilise gravure à l'eau-forte rapide qui combine l'implantation ionique avec gravure à l'eau-forte chimique. Les parties du film supraconducteur à maintenir sont masquées du procédé d'implantation ionique. Le processus chimique gravure à l'eau-forte enlève alors les parties implantées du film supraconducteur à une vitesse beaucoup plus rapide que les parties non implantées de sorte que seulement les parties un-implantées demeurent. Les dispositifs supraconducteurs résultants peuvent être utilisés, par exemple, comme des nanostructures et des bouts de nano, des bolométres, des enroulements multicouche de rf, des guides d'ondes à micro-ondes et des filtres.