A method, in a plasma processing chamber, for etching through a selected portion of layers of a wafer stack, which comprises an anti-reflective layer and a metallization layer disposed below the anti-reflective layer. The method comprises the step of etching at least partially through the anti-reflective layer of the wafer stack with a first chemistry that comprises both an etchant chemical and a polymer-forming chemical. Further, the method comprises the step of etching at least partially through the metallization layer of the wafer stack with a second chemistry different from the first chemistry.

Eine Methode, in einem Plasma, das Raum, für das Ätzen durch einen vorgewählten Teil Schichten eines Oblatestapels verarbeitet, der eine Anti-reflektierende Schicht und eine Metallizationschicht enthält, schuf unterhalb der Anti-reflektierenden Schicht ab. Die Methode enthält den Schritt von mindestens teilweise ätzen durch die Anti-reflektierende Schicht des Oblatestapels mit einer ersten Chemie, die eine etchant Chemikalie und eine Polymer-Plastik-bildenchemikalie enthält. Weiter enthält die Methode den Schritt von mindestens teilweise ätzen durch die Metallizationschicht des Oblatestapels mit einer zweiten Chemie, die zu der ersten Chemie unterschiedlich ist.