Semiconductor devices may be made by forming a silicided layer on a silicon material such as that used to form the extractor of a field emission display. The silicided layer may be self-aligned with the emitter of a field emission display. If the silicided layer is treated at a temperature above 1000.degree. C. by exposure to a nitrogen source, the silicide is resistant to subsequent chemical attack such as that involved in a buffered oxide etching process.

Los dispositivos de semiconductor se pueden hacer formando a silicided capa en un material del silicio tal como eso usado para formar el extractor de una exhibición de la emisión del campo. Silicided capa puede uno mismo-ser alineado con el emisor de una exhibición de la emisión del campo. Si silicided la capa se trata en una temperatura sobre 1000.degree. La C. por la exposición a una fuente del nitrógeno, el silicide es resistente al ataque químico subsecuente tal como eso implicada en un proceso protegido de la aguafuerte del óxido.