A process for forming a titanium silicide interconnect includes applying a layer of polysilicon over a semiconductor layer. A layer of titanium silicide is formed over the layer of polysilicon. The layer of polysilicon and the layer of titanium silicide are etched to form a desired patterned structure. The exposed portions of the layer of titanium silicide are nitrified to form a thin layer of titanium nitride. The titanium nitride encapsulates the titanium silicide thereby improving the chemical and thermal properties of the interconnect.

Een proces om titaniumsilicide te vormen verbindt omvat het toepassen van een laag van polysilicon meer dan een halfgeleiderlaag onderling. Een laag van titaniumsilicide wordt gevormd meer dan de laag van polysilicon. De laag van polysilicon en de laag van titaniumsilicide worden geëtst om een gewenste gevormde structuur te vormen. De blootgestelde gedeelten van de laag van titaniumsilicide worden genitrificeerd om een thin.layer van titaniumnitride te vormen. Het titaniumnitride kapselt titaniumsilicide in die daardoor de chemische en thermische eigenschappen van interconnect verbeteren.