A semiconductor fabrication method is provided for fabricating a shallow-trench isolation (STI) structure in an integrated circuit, which can prevent the occurrence of microscratches in the oxide plugs of the STI structure, thus further preventing the occurrence of a bridging effect and short-circuits between the circuit components that are intended to be electrically isolated by the STI structure. This method is characterized by the use of a laser annealing process to remove the microscratches that formed on the top surface of the oxide plugs during the chemical-mechanical polishing (CMP) process used to remove the upper part of the oxide layer to form the oxide plugs This method can therefore prevent the occurrence of a bridging effect and short-circuits due to the forming of the microscratches that would otherwise occur in the prior art.

Une méthode de fabrication de semi-conducteur est donnée pour fabriquer une structure de l'isolement de peu profond-fossé (STI) dans un circuit intégré, qui peut empêcher l'occurrence des microscratches dans les prises d'oxyde de structure de STI, de ce fait plus loin empêchant l'occurrence d'un effet traversier et des courts-circuits entre les composants de circuit qui sont prévus pour être électriquement isolés par la structure de STI. Cette méthode est caractérisée par l'utilisation d'un procédé de recuit de laser d'enlever les microscratches qui ont formé sur la surface supérieure des prises d'oxyde pendant le processus (CMP) de polissage produit-mécanique employé pour enlever la partie supérieure de la couche d'oxyde pour former les prises d'oxyde que cette méthode peut donc empêcher l'occurrence d'un effet traversier et des courts-circuits dus à la formation des microscratches qui se produiraient autrement dans l'art antérieur.