A process for dry etching a passivation layer (42) of a semiconductor device is performed such that a low radio frequency (RF) power step is used when an underlying bond pad (22) is initially exposed and a high RF power step is used after the initial exposure. The process virtually eliminates or reduces the likelihood of bond pad (22) staining, particularly when a polyimide die coat layer (72) is subsequently formed over the semiconductor device (50).

Einem Prozeß für trockene Radierung ein Passivierungschicht (42) eines Halbleiterelements wird so durchgeführt, daß ein niedriger Schritt Energie der Hochfrequenz (Rf) wenn eine bevorrechtigte Schuldverschreibung Auflage (22) wird zuerst herausgestellt verwendet wird und ein hoher Rf Energie Schritt wird nach der Ausgangsbelichtung verwendet. Der Prozeß praktisch beseitigt oder verringert die Wahrscheinlichkeit befleckenden der Bondauflage (22), besonders wenn eine polyimide Würfel-Mantelschicht (72) nachher über dem Halbleiterelement (50) gebildet wird.