A method of removing a planarized insulating layer from over an alignment mark on a wafer. The invention allows steppers to see alignment marks without the difficulty of viewing the alignment marks through the insulating layer overlying the alignment marks. The method begins by chemical mechanical polishing a conformal oxide layer over a substrate. Next, a first photoresist layer is formed over the conformal oxide layer. Then vias are etched in the conformal oxide layer in the device area and etch the conformal oxide layer in the alignment mark area. Subsequently, we form a second photoresist layer over the first photoresist layer and the conformal oxide layer. The second photoresist layer filling the vias, but not the alignment mark resist opening. Then etch the second photoresist layer leaving sidewall spacers on the sidewall of the first photoresist layer in the alignment mark area and leaving photoresist plugs filling the vias. Next, anisotropically etch the conformal oxide layer in the alignment mark area exposing the alignment mark patterns. Then, a metal layer is formed over the surface. The metal layer is patterned.

Um método de remover a planarized a camada isolando sobre de uma marca de alinhamento em um wafer. A invenção permite que os steppers v marcas de alinhamento sem a dificuldade de ver as marcas de alinhamento com a camada isolando que overlying as marcas de alinhamento. O método começa por mecânico químico lustrando uma camada conformal do óxido sobre uma carcaça. Em seguida, uma primeira camada de photoresist é dada forma sobre a camada conformal do óxido. Então os vias são gravados na camada conformal do óxido na área do dispositivo e gravam a camada conformal do óxido na área da marca de alinhamento. Subseqüentemente, nós damos forma a um segundo excesso da camada de photoresist a primeira camada de photoresist e a camada conformal do óxido. A segunda camada de photoresist que enche os vias, mas não a marca de alinhamento resiste abrir. Grave então a segunda camada de photoresist que deixa espaçadores do sidewall no sidewall da primeira camada de photoresist na área da marca de alinhamento e que deixa os plugues do photoresist que enchem os vias. Em seguida, grave anisotropically a camada conformal do óxido na área da marca de alinhamento que expõe os testes padrões da marca de alinhamento. Então, uma camada do metal é dada forma sobre a superfície. A camada do metal é modelada.