A method for manufacturing a semiconductor device on a wafer that has a substrate with a front side and a backside, and an accumulation of waste matter on the backside of the substrate. In a method of the invention, a cover layer is deposited over the front side in a normal coating step of a process for fabricating a component on the wafer. The cover layer provides material used in the process for fabricating the component on the front side of the wafer and creates a barrier over the front side. The waste matter is removed from the backside of the wafer by etching the waste matter from the backside of the wafer with a suitable etchant, or by planarizing the backside of the wafer with a chemical-mechanical planarization ("CMP") process. During the removal step, the cover layer protects the front side and any device features on the front side from being damaged while the waste matter is removed from the backside of the wafer. Since the cover layer is deposited in a normal coating step of the process for fabricating a component on the wafer, it is deposited irrespective of whether the waste matter is removed from the wafer.

Метод для изготовлять прибора на полупроводниках на вафле имеет субстрат с передней стороной и задней стороной, и накопление неныжного дела на задней стороне субстрата. В методе вымысла, слой крышки депозирован над передней стороной в нормальном покрывая шаге процесса для изготовлять компонент на вафле. Слой крышки обеспечивает материал используемый в процессе для изготовлять компонент on the front side of вафля и создает барьер над передней стороной. Неныжное дело извлекается от задней стороны вафли путем вытравлять неныжное дело от задней стороны вафли с целесообразное etchant, или путем planarizing задняя сторона вафли с химикат-mexaniceski процессом planarization ("cmp"). Во время шага удаления, слой крышки защищает переднюю сторону и все характеристики приспособления на передней стороне от быть поврежденным пока неныжное дело извлекается от задней стороны вафли. В виду того что слой крышки депозирован в нормальном покрывая шаге процесса для изготовлять компонент на вафле, он депозирован irrespective of извлекается ли неныжное дело от вафли.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Method for post planarization metal photolithography

> Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

> (none)

~ 00002