A method of chemical-mechanical polishing for forming a shallow trench isolation. A substrate having a plurality of active regions, including a large active region and a small active region, is provided. A silicon nitride layer is formed on the substrate. A shallow trench is formed between the active regions. An oxide layer is formed over the substrate, so that the shallow trench is filled therewith. A partial reverse active mask is formed on the oxide layer, so that the oxide layer on a central part of the large active region is exposed. Whereas, the oxide layer on an edge part of the large active region and on the small active region are covered by the partial reverse active mask. The oxide layer is etched with the silicon nitride layer as a stop layer, using the partial reverse active mask as a mask. The oxide layer is planarized until the oxide layer within the shallow trench has a same level as the silicon nitride layer.

Un método de pulir producto-meca'nico para formar un aislamiento bajo del foso. Un substrato que tiene una pluralidad de regiones activas, incluyendo una región activa grande y una región activa pequeña, se proporciona. Una capa del nitruro de silicio se forma en el substrato. Un foso bajo se forma entre las regiones activas. Una capa del óxido se forma sobre el substrato, para llenar el foso bajo therewith. Una máscara activa reversa parcial se forma en la capa del óxido, para exponer la capa del óxido en una parte central de la región activa grande. Mientras que, la capa del óxido en una pieza del borde de la región activa grande y en la región activa pequeña son cubiertos por la máscara activa reversa parcial. La capa del óxido se graba al agua fuerte con la capa del nitruro de silicio como una capa de la parada, usando la máscara activa reversa parcial como máscara. La capa del óxido es planarized hasta que la capa del óxido dentro del foso bajo tiene a el mismo nivel que la capa del nitruro de silicio.