To provide a method for producing the semiconductor device in which
contactability between a dielectric layer and a contact layer is not
reduced during the formation of a metal plug, the method comprises forming
a semiconductor device including a base; forming a lower conductive layer
on the base; forming a dielectric layer formed on the lower conductive
layer; forming an opening in the dielectric layer for electrically
connecting the lower conductive layer with an upper conductive layer to be
formed on the dielectric layer; forming a first contact layer formed on at
least a bottom surface of the via hole and made of a single TiON layer,
any portions of said first contact layer formed on the dielectric layer
being removed; forming a second contact layer over an entire exposed
surface of the first contact layer, depositing tungsten on the second
contact layer by a chemical vapor deposition method; and removing portions
of the second contact layer formed on the dielectric layer while leaving a
tungsten plug and the first and second contact layers within the opening
to form a via hole contact.
Для того чтобы обеспечить метод для производить прибора на полупроводниках в contactability между диэлектрическим слоем и слоем контакта не уменьшено во время образования штепсельной вилки металла, метод состоит из формировать прибора на полупроводниках включая основание; формировать более низкий проводной слой на основании; формировать диэлектрический слой сформировал на более низком проводном слое; формирующ отверстие в диэлектрическом слое для электрически соединять более низкий проводной слой при верхний проводной слой, котор нужно сформировать на диэлектрическом слое; формирующ слой первого контакта сформированный на по крайней мере нижней поверхности через отверстие и сделанный одиночного слоя TiON, все части сказанного слоя первого контакта сформировали на диэлектрическом будучи извлеканными слое; формировать второй слой контакта над всей, котор подвергли действию поверхностью слоя первого контакта, депозируя вольфрам на втором слое контакта методом низложения химически пара; и извлекать части второго слоя контакта сформировал на диэлектрическом слое пока оставлять штепсельная вилка вольфрама и первый и второй контакт наслаивает в пределах отверстия для того чтобы сформировать а через контакт отверстия.
