The present invention relates to a method of forming a barrier metal layer for a hot Al plug and its structure and more particularly to remarkably ameliorate the performance of a barrier metal layer preventing Al metal used as an interconnection layer from diffusing into a silicon substrate. A barrier metal layer according to the present invention is a stacked structure comprising a top layer of Tungsten (W) formed by a Chemical Vapor Deposition (CVD) method and a bottom layer of TiN. Then, a Al interconnection layer deposited at high temperature fills a plug and finishes a plug structure having advantages of low manufacturing cost and full prevention of Al diffusion.

A invenção atual relaciona-se a um método de dar forma a uma camada do metal da barreira para um plugue quente do al e sua estrutura e para melhorar mais particularmente notàvelmente o desempenho de uma camada do metal da barreira que impede que o metal do al usado como uma camada da interconexão difunda em uma carcaça do silicone. Uma camada do metal da barreira de acordo com a invenção atual é uma estrutura empilhada que compreende uma camada superior do tungstênio (W) dada forma por um método do deposition de vapor químico (CVD) e uma camada inferior da lata. Então, uma camada da interconexão do al depositada na alta temperatura enche um plugue e termina uma estrutura do plugue que tem vantagens do custo baixo do manufacturing e a prevenção cheia da difusão do al.