A method for forming a titanium nitride layer within an integrated circuit. There is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a virgin titanium nitride layer, where the virgin titanium nitride layer is formed through a chemical vapor deposition (CVD) method employing a tetrakis-diallylamido titanium source material without a halogen activator source material. The virgin titanium nitride layer is then annealed in a first plasma comprising nitrogen and hydrogen to form a refined titanium nitride layer. The refined titanium nitride layer is then annealed in a second plasma comprising nitrogen without hydrogen. Through the method there is formed a titanium nitride layer with superior step coverage, low resistivity and low impurities concentration.

Um método para dar forma a uma camada titanium do nitride dentro de um circuito integrado. É fornecido primeiramente uma carcaça. É dado forma então sobre a carcaça um a camada titanium virgem do nitride, onde a camada titanium virgem do nitride é dada forma com um método do deposition de vapor químico (CVD) que emprega um material de fonte titanium do tetrakis-diallylamido sem um material de fonte do activador do halogênio. A camada titanium virgem do nitride é recozida então em um primeiro plasma que compreende o nitrogênio e o hidrogênio para dar forma a uma camada titanium refinada do nitride. A camada titanium refinada do nitride é recozida então em um segundo plasma que compreende o nitrogênio sem hidrogênio. Com o método é dado forma uma camada titanium do nitride com cobertura superior da etapa, resistivity baixo e concentração de impurezas baixa.