A silicon wafer has an amorphous silicon layer formed on one main surface thereof. The amorphous silicon layer is formed by plasma chemical vapor deposition. The silicon wafer has a gettering layer that possesses high gettering capability and enhanced continuance of the gettering capability. Moreover, the stress acting on the silicon wafer due to the gettering layer is reduced so that the warpage of the silicon wafer decreases. The silicon wafer can be manufactured with high productivity.

Вафля кремния имеет аморфический слой кремния сформированный на одной главной поверхности thereof. Аморфический слой кремния сформирован низложением химически пара плазмы. Вафля кремния имеет gettering слой обладает возможностью максимума gettering и увеличенным continuance gettering возможности. Сверх того, уменьшено усилие действуя на вафле кремния должной к gettering слою так, что коробоватость вафли кремния уменьшьет. Вафлю кремния можно изготовить с высокой урожайностью.