A semiconductor device comprising a substrate having thereon an amorphous silicon film fabricated by a reduced pressure chemical vapor deposition, characterized in that a thin film transistor is provided by using a crystalline silicon film obtained by effecting crystal growth in parallel with the surface of the substrate at the periphery of a region containing a selectively introduced metallic element, the region being obtained by selectively introducing a metallic element capable of accelerating the crystallization of the amorphous silicon film and heating the region thereafter.

Un dispositivo de semiconductor que abarca un substrato que hace sobre eso una película amorfa del silicio fabricar por una deposición de vapor químico reducida de la presión, caracterizada en ése un transistor de la película fina es proporcionado usando una película cristalina del silicio obtenida efectuando el crecimiento cristalino en paralelo de la superficie del substrato en la periferia de una región que contiene un elemento metálico selectivamente introducido, la región que es obtenida selectivamente introduciendo un elemento metálico capaz de acelerar la cristalización de la película amorfa del silicio y de calentar la región después de eso.