A dielectric layer consisting essentially of Ta, Al, oxygen and nitrogen can have advantageous properties that make such a layer useful for thin film capacitors, typically capacitors for Si integrated circuits. For instance, a significantly greater fraction of capacitors according to the invention than of prior art tantalum oxide capacitors can store a charge of 3 .mu.coulomb/cm.sup.2. In a currently preferred embodiment, the dielectric layer has composition Ta.sub.1-y Al.sub.y O.sub.x N.sub.z, with y.about.0.1, x.about.2.4, and z.about.0.02. The dielectric layer can be formed by sputter deposition or any other appropriate deposition technique, e.g., chemical vapor deposition.

Uno strato dielettrico che è fatto di essenzialmente l'AT, Al, l'ossigeno e l'azoto può avere proprietà convenienti che rendono un tal strato utile per i condensatori della pellicola sottile, tipicamente condensatori per i circuiti integrati del silicone. Per esempio, una frazione significativamente più grande dei condensatori secondo l'invenzione che dei condensatori dell'ossido del tantalio di arte anteriore può immagazzinare una carica di mu.coulomb/cm.sup.2 3. In un metodo di realizzazione preferito attualmente, lo strato dielettrico ha composizione Ta.sub.1-y Al.sub.y O.sub.x N.sub.z, con y.about.0.1, x.about.2.4 e z.about.0.02. Lo strato dielettrico può essere costituito polverizza il deposito o qualunque altra tecnica adatta di deposito, per esempio, il deposito di vapore chimico.