A process for the chemical vapor deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride from reactant gases O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 O, NO, NO.sub.2, NH.sub.3 and a silane of the formula: (t-C.sub.4 H.sub.9 NH).sub.2 SiH.sub.2. A process whereby a stack of silicon containing dielectrics ranging from silicon nitride to silicon oxide may be deposited successively (at the same pressure and temperature) by changing the reactants O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 O, NO, NO.sub.2, NH.sub.3 while maintaing a constant flow of (t-C.sub.4 H.sub.9 NH).sub.2 SiH.sub.2. The films are suitable for use in the semiconductor and related industries.

Un proceso para la deposición de vapor químico del oxynitride del dióxido del silicio y del silicio del reactivo provee de gas O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 O, NO, NO.sub.2, NH.sub.3 y un silane del fórmula: (t-C.sub.4 H.sub.9 NH).sub.2 SiH.sub.2. Un proceso por el que un apilado de silicio que contiene los dieléctricos que se extienden del nitruro de silicio al óxido del silicio se pueda depositar sucesivamente (en la misma presión y temperatura) cambiando los reactivo O.sub.2, O.sub.3, N.sub.2 O, NO, NO.sub.2, NH.sub.3 mientras que maintaing un flujo constante de (t-C.sub.4 H.sub.9 NH).sub.2 SiH.sub.2. Las películas son convenientes para el uso en el semiconductor y las industrias relacionadas.