An exemplary implementation of the present invention discloses a semiconductor fabrication method for forming a film in a reactor. Process conditions (temperature and pressure) are initially stabilized prior to a film deposition cycle. Once process conditions are stable, chemical elements of are nucleated onto a substrate surface to form a nucleation surface of the film. The bulk portion of the film is then deposited onto the nucleation surface. Finally, after the bulk of the film is deposited the surface of the film is conditioned. To tailor a film the process conditions are varied during the film deposition cycle wherein at least one of the pressures and temperatures is varied by at least 10%. In a specific implementation, a capacitor dielectric of silicon nitride is tailored by varying the pressure for the bulk film deposition and by varying both the temperature and pressure for the film surface formation phase.

Een voorbeeldige implementatie van de onderhavige uitvinding onthult een methode van de halfgeleidervervaardiging om een film in een reactor te vormen. De voorwaarden van het proces (temperatuur en druk) worden aanvankelijk gestabiliseerd voorafgaand aan een cyclus van het filmdeposito. Zodra de procesvoorwaarden stabiel zijn, zijn de chemische elementen van nucleated op een substraatoppervlakte om een nucleation oppervlakte van de film te vormen. Het bulkgedeelte van de film wordt dan gedeponeerd op de nucleation oppervlakte. Tot slot nadat het grootste deel van de film wordt gedeponeerd wordt de oppervlakte van de film geconditioneerd. Om een film te maken zijn de procesvoorwaarden gevarieerd tijdens de cyclus van het filmdeposito waarin minstens één van de druk en de temperaturen door minstens 10% wordt gevarieerd. In een specifieke implementatie, wordt een condensator diëlektrisch van siliciumnitride gemaakt door de druk voor het bulkfilmdeposito te variëren en door zowel de temperatuur als druk voor de de vormingsfase van de filmoppervlakte te variëren.