The present invention is a method to manufacture a reverse crown capacitor. The method includes forming a triple layer silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide over a substrate. A first node contact is defined in the triple layer. Spacers of a first node contact are formed. Then, a contact hole in the first node contact is formed to connect to the substrate. A polysilicon layer is deposited to from the plug of the contact hole. A chemical mechanical polishing (CMP) process is performed to remove the silicon nitride layer. Afterwards, a silicon oxide is formed over the substrate. A second node contact is defined and a polysilicon layer is formed on the second node contact to form the bottom plate of a capacitor. Finally, a dielectric film is formed over the bottom plate and a top plate is formed over the dielectric film.

Η παρούσα εφεύρεση είναι μια μέθοδος για να κατασκευάσει έναν αντίστροφο πυκνωτή κορωνών. Η μέθοδος περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός τριπλού οξειδίου πυριτίου στρώματος/ενός νιτριδίου πυριτίου/του οξειδίου πυριτίου πέρα από ένα υπόστρωμα. Μια πρώτη επαφή κόμβων καθορίζεται στο τριπλό στρώμα. Τα πλήκτρα διαστήματος μιας πρώτης επαφής κόμβων διαμορφώνονται. Κατόπιν, μια τρύπα επαφών στην πρώτη επαφή κόμβων διαμορφώνεται για να συνδέσει με το υπόστρωμα. Ένα στρώμα πολυπυρίτιων κατατίθεται από το βούλωμα της τρύπας επαφών. Μια χημική μηχανική διαδικασία στίλβωσης (CMP) εκτελείται για να αφαιρέσει το στρώμα νιτριδίων πυριτίου. Κατόπιν, ένα οξείδιο πυριτίου διαμορφώνεται πέρα από το υπόστρωμα. Μια δεύτερη επαφή κόμβων καθορίζεται και ένα στρώμα πολυπυρίτιων διαμορφώνεται στη δεύτερη επαφή κόμβων για να διαμορφώσει το κατώτατο πιάτο ενός πυκνωτή. Τέλος, μια διηλεκτρική ταινία διαμορφώνεται πέρα από το κατώτατο πιάτο και ένα κορυφαίο πιάτο διαμορφώνεται πέρα από τη διηλεκτρική ταινία.