A method for preventing CMP-induced (chemical-mechanical polish) damage to a substrate disposed below a pad nitride layer of a mesa. The pad nitride layer is disposed below a conformally deposited dielectric layer. The dielectric layer is disposed below a conformally deposited polysilicon layer. The method includes planarizing the polysilicon layer down to at least a surface of the dielectric layer using the CMP to expose a first region of the dielectric layer. The method further includes etching partially through the first region of the dielectric layer using first etch parameters. The first etch parameters include an etchant source gas that is substantially selective to the pad nitride layer to prevent the pad nitride layer from being etched through even in the presence of a CMP defect. Additionally, there is also included removing the polysilicon layer after the etching partially through the first region of the dielectric layer.

Eine Methode für das Verhindern CMP-induced (Chemikalie-mechanisches Poliermittel) von von Beschädigung eines Substrates schuf unterhalb einer Auflagenitridschicht eines MESAS ab. Die Auflagenitridschicht wird unterhalb einer conformally niedergelegten dielektrischen Schicht abgeschaffen. Die dielektrische Schicht wird unterhalb einer conformally niedergelegten polysilicon Schicht abgeschaffen. Die Methode schließt die polysilicon Schicht unten planarizing zu mindestens einer Oberfläche der dielektrischen Schicht mit dem CMP, eine erste Region der dielektrischen Schicht herauszustellen ein. Die weitere Methode schließt teilweise ätzen durch die erste Region der dielektrischen Schicht mit ersten Ätzungparametern ein. Die ersten Ätzungparameter schließen ein etchant Quellgas ein, das zur Auflagenitridschicht im wesentlichen vorgewählt ist-, die Auflagenitridschicht an geätzt werden durch gleichmäßiges in Anwesenheit eines CMP Defektes zu verhindern. Zusätzlich ist auch die polysilicon Schicht nach der Radierung durch die erste Region der dielektrischen Schicht teilweise entfernend eingeschlossen.