Capping a low resistivity metal conductor line or via with a refractory metal allows for effectively using chemical-mechanical polishing techniques because the-hard, reduced wear, properties of the refractory metal do not scratch, corrode, or smear during chemical-mechanical polishing. Superior conductive lines and vias are created using a combination of both physical vapor deposition (e.g., evaporation or collimated sputtering) of a low resistivity metal or alloy followed by chemical vapor deposition (CVD) of a refractory metal and subsequent planarization. Altering a ratio of SiH.sub.4 to WF.sub.6 during application of the refractory metal cap by CVD allows for controlled incorporation of silicon into the tungsten capping layer. Collimated sputtering allows for creating a refractory metal liner in an opening in a dielectric which is suitable as a diffusion barrier to copper based metalizations as well as CVD tungsten. Ideally, for faster diffusing metals like copper, liners are created by a two step collimated sputtering process wherein a first layer is deposited under relatively low vacuum pressure where directional deposition dominates (e.g., below lmtorr) and a second layer is deposited under relatively high vacuum pressure where scattering deposition dominates (e.g., above 1 mTorr). For refractory metals like CVD tungsten, the liner can be created in one step using collimated sputtering at higher vacuum pressures.

Ricoprendo una linea bassa del conduttore del metallo di resistività o via con un metallo refrattario tiene conto efficacemente usando le tecniche di lucidatura prodotto-meccaniche perché l'usura-DURA e ridotta, proprietà del metallo refrattario non graffia, non corrode, o sbavatura durante la lucidatura prodotto-meccanica. Le linee ed i vias conduttivi superiori sono generati usando una combinazione sia del deposito fisico del vapore (per esempio, evaporazione o polverizzazione collimata) di un metallo basso di resistività o della lega seguita dal deposito di vapore chimico (CVD) di un metallo refrattario che di un planarization successivo. L'alterazione del rapporto di SiH.sub.4 a WF.sub.6 durante l'applicazione della protezione refrattaria del metallo tramite CVD tiene conto l'incorporazione controllata di silicone nello strato ricoprente del tungsteno. La polverizzazione collimata tiene conto la generazione del rivestimento refrattario del metallo in un'apertura in un dielettrico che è adatto come barriera di diffusione ai metalizations basati rame così come il tungsteno di CVD. Nel migliore dei casi, per i metalli di diffusione più veloci gradisca il rame, i rivestimenti sono generati tramite un processo di polverizzazione collimato due punti in cui un primo strato è depositato sotto pressione relativamente bassa di vuoto dove il deposito direzionale si domina (per esempio, sotto lmtorr) e un secondo strato è depositato sotto pressione relativamente alta di vuoto dove spargendo il deposito si domina (per esempio, superiore a 1 mTorr). Per i metalli refrattari gradisca il tungsteno di CVD, il rivestimento può essere generato ad un punto usando la polverizzazione collimata alle pressioni più alte di vuoto.