A simplified method is disclosed for forming dual damascene patterns using a phase-shifting mask in conjunction with a single photoresist process. First, a method is descried for fabricating a phase-shifting metal mask formed on a quartz substrate having opaque, transparent and semi-light-transmitting regions. The transparent regions comprise hole pattern while the semi-transmitting regions comprise line pattern for a dual damascene pattern. Then it is shown how the phase-shifting mask is used to form a dual damascene structure by forming a single photoresist on a silicon substrate having a tri-layer insulating layer, forming the hole and line patterns on the photoresist simultaneously by exposing it through the phase-shifting mask, and then transferring the patterns successively into the top and bottom layers of the insulating layer by etching. Having thus formed the vertical hole interconnect and line trench into the insulating layer, metal is deposited into the dual damascene structure. Any excess metal on the surface of the insulating layer is then removed by any number of ways including chemical-mechanical polishing, thereby planarizing the surface and readying it for the next semiconductor process.

Um método simplificado é divulgado dando forma a testes padrões damascene duplos usando uma máscara fase-deslocando conjuntamente com um único processo do photoresist. Primeiramente, um método descried fabricando uma máscara fase-deslocando do metal dada forma em uma carcaça de quartzo que tem regiões opacas, transparentes e semi-luz-transmissoras. As regiões transparentes compreendem o teste padrão do furo quando as regiões semi-transmissoras compreenderem a linha teste padrão para um teste padrão damascene duplo. É mostrado então como a máscara fase-deslocando é usada dar forma a uma estrutura damascene dupla dando forma a um único photoresist em uma carcaça do silicone que tem uma camada isolando da tri-camada, dando forma ao furo e à linha testes padrões no photoresist simultaneamente expondo o através da máscara fase-deslocando, e então transferindo os testes padrões sucessivamente nas camadas do alto e do fundo da camada isolando gravura a água-forte. Assim dando forma ao interconnect do furo e à linha verticais trincheira na camada isolando, metal é depositado na estrutura damascene dupla. Todo o metal adicional na superfície da camada isolando é removido então por qualquer número das maneiras including lustrar produto-mecânico, desse modo planarizing a superfície e aprontá-la para o processo seguinte do semicondutor.