A method for forming an isolating trench in a substrate is disclosed herein. The forgoing method includes the following steps. First, form a first dielectric layer and a second dielectric layer on the substrate subsequently, and then develop a photoresist pattern on the second dielectric layer. Then, etch the substrate, the first dielectric layer and the second dielectric layer to form a trench in the substrate. Next, form a first silicon dioxide layer in the trench followed by removing the photoresist pattern. The next step is to form a third dielectric layer on the second dielectric layer and the first silicon dioxide layer. Subsequently, fill the trench with silicon dioxide to from an oxide trench; then remove the second dielectric layer, a first portion of the third dielectric layer and a portion of the oxide trench with a chemical mechanical polishing (CMP) and a first solution. The third dielectric layer mentioned above includes the first portion of the third dielectric layer and a second portion of the third dielectric layer. Finally, etch the first dielectric layer and the oxide trench to expose the substrate. The second portion of the third dielectric layer is used to prevent an oxide loss in the oxide trench; then the isolating trench being formed thereof.

Метод для формировать изолируя шанец в субстрате показан здесь. Forgoing метод вклюает following шаги. Во первых, сформируйте первый диэлектрический слой и второй диэлектрический слой на субстрате затем, и после этого начните картину фоторезиста на втором диэлектрическом слое. После этого, вытравите субстрат, первый диэлектрический слой и второй диэлектрический слой для того чтобы сформировать шанец в субстрате. Затем, сформируйте первый слой двуокиси кремния в шанце последованном за путем извлекать картину фоторезиста. Следующий шаг должен сформировать третий диэлектрический слой на втором диэлектрическом слое и первом слое двуокиси кремния. Затем, заполните шанец с двуокисью кремния к от шанцу окиси; после этого извлекайте второй диэлектрический слой, первую часть третьего диэлектрического слоя и часть шанца окиси с химически механически полируя (cmp) и первым разрешением. Третий диэлектрический слой упомянутый выше вклюает первую часть третьего диэлектрического слоя и вторую часть третьего диэлектрического слоя. Окончательно, вытравите первый диэлектрический слой и шанец окиси для того чтобы подвергнуть действию субстрат. Вторая часть третьего диэлектрического слоя использована для того чтобы предотвратить потерю окиси в шанце окиси; после этого изолируя шанец будучи сформированной thereof.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Single-mask dual damascene processes by using phase-shifting mask

> Method for forming shallow trench isolation

> (none)

~ 00002