A method of reducing impurities in films to be deposited within a chemical vapor deposition (CVD) device includes steps of cleaning the process chamber of the CVD device, and depositing, prior to wafer processing, a gettering layer of, for example, phosphorous containing glass on interior surfaces of the process chamber. The gettering layer getters mobile alkali ions and substantially reduces or prevents outdiffusion of alkali ions and other impurities. The phosphorous containing glass may also be doped with boron. A blocking layer, such as undoped silicate glass, silicon nitride, silicon oxynitride or the like may be deposited on the gettering layer to trap impurities and to prevent phosphorous contamination in a applications sensitive to such contamination. Alternatively, silicon nitride or silicon oxynitride may be deposited on interior surfaces of the process chamber without a gettering layer, to thereby substantially prevent outdiffusion of underlying moisture and impurities during subsequent deposition of films onto the wafers to be processed.

Une méthode de réduire des impuretés en films à déposer dans un dispositif de la déposition en phase vapeur (CVD) inclut des étapes de nettoyer la chambre de processus du dispositif de CVD, et de la déposer, avant la gaufrette traitant, une couche gettering de, par exemple, verre contenant phosphoreux sur les surfaces intérieures de la chambre de processus. Les ions mobiles gettering d'alcali d'acquéreurs de couche et sensiblement réduit ou empêche l'outdiffusion des ions d'alcali et d'autres impuretés. Le verre contenant phosphoreux peut également être enduit du bore. Une couche de blocage, telle que le verre non dopé de silicate, le nitrure de silicium, l'oxynitride de silicium ou analogues peut être déposée sur la couche gettering pour emprisonner des impuretés et pour empêcher la contamination phosphoreuse dans des applications sensibles à une telle contamination. Alternativement, le nitrure de silicium ou l'oxynitride de silicium peut être déposé sur les surfaces intérieures de la chambre de processus sans couche gettering, pour empêcher de ce fait sensiblement l'outdiffusion de l'humidité et des impuretés fondamentales pendant le dépôt suivant des films sur les gaufrettes à traiter.