A microelectronic device is hermetically sealed at the wafer level. A substrate is provided having associated electronics and at least one metal bonding pad. A dielectric layer, such as pyrex glass film, is sputter deposited atop the substrate to form a glass/metal seal. A glass film is thereafter planarized, preferably by chemical-mechanical polishing, to remove surface variations. A cover wafer is thereafter anodically bonded to the dielectric layer/glass film so as to define a sealed cavity for housing and protecting the substrate electronics. The resultant microelectronic device is packaged in its own hermetically sealed container at the wafer level.

Eine Mikroelektronische Vorrichtung wird hermetisch auf dem Oblateniveau versiegelt. Ein Substrat wird zur Verfügung gestellt, Elektronik und mindestens eine Metallabbindenauflage verbinden. Eine dielektrische Schicht, wie pyrex Glasschicht, ist spritzen niedergelegt auf dem Substrat, um eine glass/metal Dichtung zu bilden. Eine Glasschicht ist planarized danach, vorzugsweise durch das Chemikalie-mechanisches Polieren, zum der Oberflächenveränderungen zu entfernen. Eine Abdeckung Oblate wird danach aufsteigend zum Film des Nichtleiters layer/glass abgebunden, um einen Siegelraum für Gehäuse und das Schützen der Substratelektronik zu definieren. Die resultierende Mikroelektronische Vorrichtung wird in seinen Selbst hermetisch Siegelbehälter auf dem Oblateniveau verpackt.