There is presented an improved method of fabricating an EEPROM device with a split gate. In the method, a silicon substrate is provided having spaced and parallel recessed oxide regions that isolate component regions where the oxide regions project above the top surface of the substrate. A thin gate oxide is formed on the substrate, and a first conformal layer is deposited over the gate oxide and projecting oxide regions. The substrate is then chemical-mechanically polished to remove the projections of polysilicon over the oxide regions. A silicon nitride layer is deposited on the resultant planar surface of the polysilicon, and elongated openings formed that will define the position of the floating gates that are perpendicular to the oxide regions. The exposed polysilicon in the openings in the silicon nitride are oxidized down to at least the level of the underlying silicon oxide regions, and the silicon nitride layer removed. The polysilicon layer is then removed using the silicon oxide layer as an etch barrier, and the edge surfaces of the resulting polysilicon floating gates oxidized. A second polysilicon layer is deposited on the substrate and elongated word lines formed that are parallel and partially overlapping the floating gates. Source lines are formed in the substrate, and gate lines are formed that overlie the floating gates.

É apresentado um método melhorado de fabricar um dispositivo de EEPROM com uma porta rachada. No método, uma carcaça do silicone é ter espaçado fornecido e as regiões recessed paralelas do óxido que isolam as regiões componentes onde as regiões do óxido se projetam acima da superfície superior da carcaça. Um óxido fino da porta é dado forma na carcaça, e uma primeira camada conformal é depositada sobre o óxido da porta e projetar regiões do óxido. A carcaça é então produto químico-mecânico lustrado para remover as projeções do polysilicon sobre as regiões do óxido. Uma camada do nitride de silicone é depositada na superfície planar resultante do polysilicon, e nas aberturas elongated dadas forma que definirão a posição das portas flutuando que são perpendiculares às regiões do óxido. O polysilicon exposto nas aberturas no nitride de silicone é oxidado para baixo ao menos ao nível das regiões subjacentes do óxido do silicone, e à camada do nitride de silicone removida. A camada do polysilicon é removida então usando a camada do óxido do silicone como uma barreira gravura em àgua forte, e as superfícies da borda das portas flutuando resultantes do polysilicon oxidadas. Uma segunda camada do polysilicon é depositada na carcaça e nas linhas elongated da palavra dadas forma que são paralelas e parcialmente sobrepondo as portas flutuando. As linhas de fonte são dadas forma na carcaça, e as linhas da porta são dadas forma que overlie as portas flutuando.