A process and etchant solution for chemical wet etching of thin film metals in the presence of a protected metal. The etching solution has a pH range of about 2.7 to 4.0. The etching solution may include hydrogen peroxide, potassium sulfate, and potassium EDTA, and it reduces or eliminates the incidence of etch-resistant metal without damaging the protected metal.

Una soluzione trattata ed etchant per acquaforte bagnata chimica dei metalli della pellicola sottile in presenza di un metallo protetto. La soluzione acquaforte ha una gamma di pH di circa 2.7 - 4.0. La soluzione acquaforte può includere il perossido di idrogeno, il solfato del potassio e l'EDTA del potassio e riduce o elimina l'incidenza di metallo incid-resistente senza danneggiare il metallo protetto.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Composition and method for treating plants with exogenous chemicals

> Stabilization of slurry used in chemical mechanical polishing of semiconductor wafers by adjustment of PH of deionized water

> (none)

~ 00003