A chemical-mechanical planarization (CMP) process is provided whereby cyclical pressure means varies the force against the wafer and polishing pad during the planarizing operation with the planarizing pad specially defined to have a relaxation time which is correlated with the force cycle so that the planarizing is enhanced. The relaxation time of the pad is greater than the downward an/or upward force cycle time on the wafer or pad and provides a planarizing process wherein the height of the pad during planarization is intermediate between a decompressed pad position and a compressed pad position typically encountered in a conventional CMP process.

Химикат-mexaniceski процесс planarization (cmp) обеспечен whereby циклические середины давления меняют усилие против вафли и полируя пусковой площадки во время planarizing деятельности с planarizing пусковой площадкой специально определенной для того чтобы иметь время релаксации сопоставлено с циклом усилия так, что planarizing будет увеличен. Время релаксации пусковой площадки greater than ухудшающееся время цикла усилия an/or верхнее на вафле или пусковой площадке и обеспечивает planarizing процесс при котором высота пусковой площадки во время planarization промежуточна между распрессованным типично столкнутыми положением пусковой площадки и compressed положением пусковой площадки в обычном процессе cmp.