A process for preparing a metallic interconnecting plug in a semiconductor device which comprises the steps of: i) forming an insulating layer on the surface of a semiconductor substrate or a metal underlayer of the semiconductor device, ii) forming a hole in the insulating layer to expose the surface of the semiconductor substrate or the metal underlayer, iii) exposing the surface of the insulating layer to the vapor of a blocking agent under a pressure ranging from 10.sup.-12 to 10 torr for a controlled time period so that a blocking layer is formed only on the outer surface of the insulating layer, the blocking layer not extending over the inside walls of the hole, iv) selectively depositing a conductive metal in the hole using a chemical vapor deposition method to form the metallic interconnecting plug which extends from the surface of the semiconductor substrate or the metal underlayer to the level of the outer surface of the insulating layer, and v) removing the blocking layer from the surface of the insulating layer.

Ein Prozeß für das Vorbereiten eines metallischen Zusammenschaltens schließen ein Halbleiterelement an, deren Schritte enthält: i) Formung einer Isolierschicht auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrates oder einem Metallunderlayer des Halbleiterelements, II), eine Bohrung in der Isolierschicht bildend, um die Oberfläche des Halbleitersubstrates oder des Metallunderlayer herauszustellen, iii), die Oberfläche der Isolierschicht dem Dampf eines blockierenden Mittels unter einem Druck aussetzend, der von 10.sup.-12 bis zu 10 Torr während eines kontrollierten Zeitabschnitts reicht, damit eine blockierende Schicht nur auf der Außenseite der Isolierschicht gebildet wird, die blockierende Schicht, die nicht Überschuß die inneren Wände der Bohrung, iv) ein verlängert leitendes Metall selektiv, niederlegend in der Bohrung mit einer Absetzungmethode des chemischen Dampfes, das metallische zu bilden Stecker, der von der Oberfläche des Halbleitersubstrates oder vom Metallunderlayer auf das Niveau der Außenseite der Isolierschicht verlängert und V) das Entfernen der blockierenden Schicht von der Oberfläche der Isolierschicht zusammenschalten.