The invention provides a method of manufacturing a metal interconnect. A substrate having a metal line formed thereon is provided. An anti-reflection layer is formed on the metal line. A dielectric layer with a relatively low dielectric constant is formed over the substrate. A patterned photoresist layer is formed on the dielectric layer. The patterned photoresist layer has an opening exposing a portion of the dielectric layer. The portion of the dielectric layer exposed by the opening is removed to form a via hole. The patterned photoresist layer is removed by an O.sub.2 --H.sub.2 O--CF.sub.4 plasma. The pressure of the O.sub.2 --H.sub.2 O--CF.sub.4 plasma is about 800-1000 torr. A cleaning process is performed by a post-stripper rinse solution and de-ionized water without using an acetone solution. A barrier layer is formed over the substrate by chemical vapor deposition. A metal nucleation is performed for a long time by chemical vapor deposition to form metal nuclei on the barrier layer. A metal layer is formed to fill the via hole by chemical vapor deposition.

Η εφεύρεση παρέχει ότι μια μέθοδος ένα μέταλλο διασυνδέει. Ένα υπόστρωμα που έχει μια γραμμή μετάλλων διαμορφωμένη επ'αυτού παρέχεται. Ένα στρώμα αντιαντανάκλασης διαμορφώνεται στη γραμμή μετάλλων. Ένα διηλεκτρικό στρώμα με μια σχετικά χαμηλή διηλεκτρική σταθερά διαμορφώνεται πέρα από το υπόστρωμα. Ένα διαμορφωμένο photoresist στρώμα διαμορφώνεται στο διηλεκτρικό στρώμα. Το διαμορφωμένο photoresist στρώμα έχει ένα άνοιγμα εκθέτοντας μια μερίδα του διηλεκτρικού στρώματος. Η μερίδα του διηλεκτρικού στρώματος που εκτίθεται με το άνοιγμα αφαιρείται για να διαμορφώσει το α μέσω της τρύπας. Το διαμορφωμένο photoresist στρώμα αφαιρείται από ένα O.sub.2 -- H.sub.2 ο -- πλάσμα CF.sub.4. Η πίεση του O.sub.2 -- H.sub.2 ο -- πλάσμα CF.sub.4 είναι περίπου 800-1000 torr. Μια διαδικασία καθαρισμού εκτελείται από μια λύση ξεβγαλμάτων μετα-στρηππερ και ένα εξιοντισμένο ύδωρ χωρίς χρησιμοποίηση μιας λύσης ακετονών. Ένα στρώμα εμποδίων διαμορφώνεται πέρα από το υπόστρωμα από την απόθεση χημικού ατμού. Ένας σχηματισμός φύτρων μετάλλων εκτελείται για πολύ από την απόθεση χημικού ατμού για να διαμορφώσει τους πυρήνες μετάλλων στο στρώμα εμποδίων. Ένα στρώμα μετάλλων διαμορφώνεται για να γεμίσει μέσω της τρύπας από την απόθεση χημικού ατμού.