The present invention provides a polycrystalline silicon conducting structure (e.g., a resistor) whose resistance value is controlled, and can be less variable and less dependent on temperature with respect to any resistant value, and a process of producing the same. Use is made of at least a two-layer structure including a first polycrystalline silicon layer of large crystal grain size and a second polycrystalline silicon layer of small crystal grain size, and the first polycrystalline silicon layer has a positive temperature dependence of resistance while the second polycrystalline layer has a negative temperature dependence of resistance, or vice versa. Moreover, the polycrystalline silicon layer of large grain size can be formed by high dose ion implantation and annealing, or by depositing the layers by chemical vapor deposition at different temperatures so as to form large-grain and small-grain layers.

La présente invention fournit une structure de conduite de silicium polycristallin (par exemple, une résistance) dont la valeur de résistance est commandée, et peut dépendre moins variable et moins de la température en ce qui concerne n'importe quelle valeur résistante, et d'un processus de produire la même chose. L'utilisation est faite au moins d'une structure de deux-couche comprenant une première couche polycristalline de silicium de grande taille de grain en cristal et une deuxième couche polycristalline de silicium de petite taille de grain en cristal, et la première couche polycristalline de silicium a une dépendance positive de la température de résistance tandis que la deuxième couche polycristalline a une dépendance négative de la température de résistance, ou vice versa. D'ailleurs, la couche polycristalline de silicium de la grande taille de grain peut être constituée par implantation ionique et recuit de dose élevée, ou en déposant les couches par la déposition en phase vapeur aux différentes températures afin de former des couches de grand-grain et de petit-grain.