Semiconductor devices may be made by forming a silicided layer on a silicon material such as that used to form the extractor of a field emission display. The silicided layer may be self-aligned with the emitter of a field emission display. If the silicided layer is treated at a temperature above 1000.degree. C. by exposure to a nitrogen source, the silicide is resistant to subsequent chemical attack such as that involved in a buffered oxide etching process.

Halbleiterelemente können, indem man a, gebildet werden bildet silicided Schicht auf Silikonmaterial wie dem, das verwendet wird, um den Auszieher einer auffangenemissionanzeige zu bilden. Silicided Schicht kann mit dem Emitter einer auffangenemissionanzeige Selbst-ausgerichtet werden. Wenn silicided, wird Schicht bei einer Temperatur über 1000.degree behandelt. C. durch Aussetzung zu einer Stickstoffquelle, der Silicide ist gegen folgenden chemischen Angriff wie den beständig, der in einen abgedämpften Oxidradierung Prozeß mit einbezogen wird.