A process of forming an interlayer dielectric on a semiconductor substrate including an electronic element includes: forming first silicon oxide layer by reacting a silicon compound including hydrogen with hydrogen peroxide using a chemical vapor deposition method; forming a porous second silicon oxide layer by reacting between a compound including an impurity, silicon compounds, and at least one substance selected from oxygen and compounds including oxygen using a chemical vapor deposition method; and annealing at a temperature of 300.degree. C. to 850.degree. C. to make the first and second silicon oxide layers more fine-grained. The first silicon oxide layer is formed at a temperature that is lower than that required of a BPSG film, and it has superior self-flattening characteristics in itself.

Un processo di formare un dielettrico dello strato intermedio su un substrato a semiconduttore compreso un elemento elettronico include: formando il primo ossido del silicone faccia uno strato di reagendo un residuo del silicone compreso idrogeno con il perossido di idrogeno usando un metodo di deposito di vapore chimico; formando un secondo strato poroso dell'ossido del silicone reagendo fra un residuo compreso un'impurità, i residui del silicone ed almeno una sostanza scelta da ossigeno e dai residui compreso ossigeno usando un metodo di deposito di vapore chimico; e ricottura ad una temperatura di 300.degree. C. a 850.degree. Il C. per preparare il primo e secondo ossido del silicone fa uno strato di più a grana fine. Il primo strato dell'ossido del silicone è formato ad una temperatura che è più bassa di quella richiesta di una pellicola di BPSG ed ha caratteristiche dispianatura del superiore in sè.