A method for enhancing the removal rate of a metal barrier layer during CMP includes providing a semiconductor wafer having an insulator layer, a metal barrier layer formed on at least a portion of the insulation layer and a conductive layer formed thereon and contacting the semiconductor wafer with a chemical-mechanical polishing slurry containing a metal removal-enhancing amount of at least one chelating agent.

Un método para realzar el índice del retiro de una capa de barrera del metal durante el CMP incluye el abastecimiento de una oblea de semiconductor que tiene una capa del aislador, una capa de barrera del metal formada en por lo menos una porción de la capa del aislamiento y de una capa conductora formadas sobre eso y entrando en contacto con la oblea de semiconductor con una mezcla que pule producto-meca'nica que contiene a una cantidad retiro-que realza del metal por lo menos de un agente chelating.