A method for forming a shallow trench isolation (STI) structure adds an etching back process to a conventional method which only uses a chemical mechanical process (CMP) process to accomplish the STI structure. In the method of the invention, the CMP process preliminarily planarizes a substrate to remove an insulation layer above the trench and uses the etching back process to accomplish the STI structure.

Un método para formar una estructura baja del aislamiento del foso (STI) agrega una aguafuerte detrás procesa a un método convencional que utilice solamente un proceso de proceso mecánico químico (CMP) para lograr la estructura de STI. En el método de la invención, el proceso del CMP planarizes preliminar un substrato para quitar una capa del aislamiento sobre el foso y utiliza la aguafuerte detrás procesa para lograr la estructura de STI.