A thin conductive layer is formed on a contact hole bottom and on a contact hole sidewall in an insulating layer on an integrated circuit substrate, and then both chemical vapor deposition and physical vapor deposition are performed, to form a glue layer on the thin conductive layer. By performing both chemical vapor deposition and physical vapor deposition, the desirable characteristics of both processes may be obtained and the drawbacks in each of these processes may be compensated. Preferably, chemical vapor deposition of a material is performed, and physical vapor deposition of the same material is performed, to form the glue layer on the thin conductive layer. More particularly, chemical vapor deposition of titanium nitride, and physical vapor deposition of titanium nitride may be performed to form the glue layer on the thin conductive layer. As an alternative to titanium nitride, tungsten nitride may be used. After forming the glue layer, the contact hole may be filled with conductive material such as tungsten.

Uno strato conduttivo sottile è formato su una parte inferiore del foro del contatto e su un muro laterale del foro del contatto in uno strato isolante su un substrato del circuito integrato ed allora sia il deposito di vapore chimico che il deposito fisico del vapore sono realizzati, per formare uno strato della colla sullo strato conduttivo sottile. Realizzando sia il deposito di vapore chimico che il deposito fisico del vapore, le caratteristiche desiderabili di entrambi i processi possono essere ottenute e gli svantaggi in ciascuno di questi processi possono essere compensati. Preferibilmente, il deposito di vapore chimico di un materiale è realizzato ed il deposito fisico del vapore dello stesso materiale è realizzato, per formare lo strato della colla sullo strato conduttivo sottile. Specialmente, il deposito di vapore chimico del nitruro di titanio ed il deposito fisico del vapore del nitruro di titanio possono essere realizzati per formare lo strato della colla sullo strato conduttivo sottile. Come alternativa al nitruro di titanio, il nitruro del tungsteno può essere usato. Dopo avere formato lo strato della colla, il foro del contatto può essere riempito di materiale conduttivo quale tungsteno.