Ingredient gas is first supplied into a reacting section disposed in an apparatus for chemical vapor deposition. Subsequently, a silicon film is deposited on a wafer under a condition that temperature at the upstream side of a direction of the ingredient gas flow inside the reacting section is higher than that at the downstream side thereof.

O gás do ingrediente é fornecido primeiramente em uma seção reagindo disposta em um instrumento para o deposition de vapor químico. Subseqüentemente, uma película do silicone é depositada em um wafer sob uma circunstância que a temperatura no lado rio acima de um sentido do interior do fluxo do gás do ingrediente a seção reagindo é mais elevada do que aquela no lado downstream disso.