A semiconductor arithmetic circuit including 2 MOS (Metal Oxide Semiconductor) type transistors, the source electrodes of which are connected to one another and having gate electrodes connected to a signal line having a predetermined potential via switching elements, and having at least two input electrodes capacitively coupled with the gate electrodes, wherein a first voltage and second voltage are applied to, respectively, a first and second input electrode of a first MOS transistor. An input signal voltage is applied to both a first and second input electrode of a second MOS transistor, and then a second switching element is caused to conduct, and the gate electrodes are set to the signal line potential, then the second switching element is isolated and the gate electrodes are placed in an electrically floating state. The first voltage and the second voltage are inputted into, respectively, the first and second input electrodes of the second MOS type transistor, and the input signal voltage is inputted into the first and second input electrodes of the first MOS transistor, and thereby, the absolute value of the difference between a voltage determined in accordance with the first voltage and the second voltage and a coupling capacity ratio between the first and the second input electrodes with respect to the gate electrode, and a voltage determined by the input signal voltage and the coupling capacity ratio is calculated.

Een halfgeleider rekenkundige kring met inbegrip van 2 MOS (de Halfgeleider van het Oxyde van het Metaal) type transistors, de bronelektroden waarvan met elkaar en hebbend poortelektroden die met een signaallijn worden verbonden die een vooraf bepaald potentieel via omschakelingselementen worden verbonden heeft, en het hebben van minstens twee ingevoerde elektroden die capacitively aan de poortelektroden worden gekoppeld, waarin een eerste voltage en het tweede voltage worden toegepast op, respectievelijk, een eerste en tweede inputelektrode van een eerste MOS transistor. Een voltage van het inputsignaal wordt toegepast op zowel een eerste als tweede inputelektrode van een tweede MOS transistor, en dan wordt een tweede omschakelingselement veroorzaakt om te leiden, en de poortelektroden worden geplaatst aan het potentieel van de signaallijn, dan is het tweede omschakelingselement geïsoleerd en de poortelektroden worden geplaatst in een elektrisch drijvende staat. Het eerste voltage en het tweede voltage worden respectievelijk ingevoerd in, de eerste en tweede inputelektroden van de tweede MOS type transistor, en het voltage van het inputsignaal wordt ingevoerd in de eerste en tweede inputelektroden van de eerste MOS transistor, en daardoor, wordt de absolute waarde van het verschil tussen een voltage dat overeenkomstig het eerste voltage wordt bepaald en het tweede voltage en een verhouding van de koppelingscapaciteit tussen de eerste en de tweede inputelektroden met betrekking tot de poortelektrode, en een voltage dat door het voltage van het inputsignaal en de verhouding van de koppelingscapaciteit wordt bepaald berekend.