The amount of particulate contamination produced due to rubbing between a semiconductor substrate and the robotic substrate handling blade has been greatly reduced by the use of specialized materials either as the principal material of construction for the semiconductor substrate handling blade, or as a coating upon the surface of the substrate handling blade. In particular, the specialized material must exhibit the desired stiffness at temperatures in excess of about 450.degree. C.; the specialized material must also have an abrasion resistant surface which does not produce particulates when rubbed against the semiconductor substrate. The abrasion resistant surface needs to be very smooth, having a surface finish of less than 1.0 micro inch, and preferably less than 0.2 micro inch. In addition, the surface must be essentially void-free. In the most preferred embodiments, the upper, top surface of the substrate handling blade is constructed from a dielectric material being smooth, non-porous, and wear-resistant. A preferred material for construction of the substrate handling blade is single crystal sapphire. Other single crystal materials, such as single crystal silicon and single crystal silicon carbide should also perform well. In a particularly preferred embodiment of the substrate handling blade, a capacitance sensor is used to indicate the presence of a semiconductor substrate on the surface of the handling blade and a structure through which vacuum is applied may be used to hold (chuck) the semiconductor substrate to the surface of the handling blade.

La cantidad de producida contaminación de partículas debido al frotamiento entre un substrato del semiconductor y el substrato robótico que manejaban la lámina ha sido reducida grandemente por el uso de materiales especializados como el material de la construcción principal para el substrato del semiconductor que manejaba la lámina, o como capa sobre la superficie del substrato que manejaba la lámina. En detalle, el material especializado debe exhibir la tiesura deseada en las temperaturas en exceso alrededor de 450.degree. C.; el material especializado debe también tener una superficie resistente de la abrasión que no produzca particulates cuando está frotada contra el substrato del semiconductor. La superficie resistente de la abrasión necesita ser muy lisa, teniendo un final superficial de menos de 1.0 pulgadas micro, y de preferiblemente menos de 0.2 pulgada micro. Además, la superficie debe ser esencialmente vaci'o-libre. En las encarnaciones preferidas, la superficie superior, superior del substrato que maneja la lámina se construye de un material dieléctrico que es liso, no poroso, y wear-resistant. Un material preferido para la construcción del substrato que maneja la lámina es zafiro del solo cristal. Otros materiales del solo cristal, tales como silicio del solo cristal y carburo del silicio del solo cristal deben también realizarse bien. En una encarnación particularmente preferido del substrato que maneja la lámina, un sensor de la capacitancia se utiliza para indicar que la presencia de un substrato del semiconductor en la superficie de la lámina de dirección y de una estructura a través de las cuales se aplica el vacío se puede utilizar para sostener (tirada) el substrato del semiconductor a la superficie de la lámina la dirección.