A polysilicon resistor structure for use within integrated circuits and a method by which the polysilicon resistor structure may be formed. A first insulating layer which is formed from a glasseous material is formed directly upon the surface of a semiconductor substrate. A polysilicon resistor is formed in contact with the first insulating layer. A second insulating layer is formed directly upon the first insulating layer and over the polysilicon resistor. The second insulating layer is formed from a silicon oxide material deposited through a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition process employing silane as the silicon source material.

Структура резистора polysilicon для пользы в пределах интегрированных цепей и метода структура резистора polysilicon может быть сформирована. Первый изолируя слой сформирован от glasseous материала сформирован сразу на поверхности субстрата полупроводника. Резистор polysilicon сформирован in contact with первый изолируя слой. Второй изолируя слой сформирован сразу на первом изолируя слое и над резистором polysilicon. Второй изолируя слой сформирован от материала окиси кремния депозированного через увеличенный плазмой силан низложения химически пара отростчатый используя как исходныйа материал кремния.