A latch-up controllable insulated gate bipolar transistor is formed with a thyristor structure, which has a first region of a first conductivity type, a second region of a second conductivity type formed on the first region, a third region of the first conductivity type formed on the second region, and a fourth region of the second conductivity type contacting the third region and forming a P-N junction therewith. The first and third regions contact a first and second electrode regions respectively. A first field effect transistor means for controlling conduction between the fourth region and the second region in response to an actuation bias; and a second field effect transistor means between the fourth region and the second electrode region for turning the thyristor off in response to a cutoff bias. The insulated gate bipolar transistor of the present invention are latch-up controllable, of a high voltage withstand and of a lower forward voltage drop simultaneously

Ein Sperrung kontrollierbarer Isolierzweipoliger Transistor des gatters wird mit einer Thyristorstruktur gebildet, die eine erste Region einer ersten Leitfähigkeitart, eine zweite Region einer zweiten Leitfähigkeitart hat, die auf der ersten Region gebildet wird, eine dritte Region der ersten Leitfähigkeitart, die auf der zweiten Region gebildet wird, und eine vierte Region der zweiten Leitfähigkeitart, die mit der dritten Region in Verbindung tritt und damit eine P-N Verzweigung bildet. Die ersten und dritten Regionen treten mit ersten und zweiten Elektrode Regionen beziehungsweise in Verbindung. Ein erstes fangen Effekttransistormittel für das Steuern von von Übertragung zwischen der vierten Region und der zweiten Region in Erwiderung auf eine Betätigung Vorspannung auf; und eine Sekunde fangen Effekttransistormittel zwischen der vierten Region und der zweiten Elektrode Region für den Thyristor in Erwiderung auf eine Abkürzungvorspannung abstellen auf. Der Isolierzweipolige Transistor des gatters der anwesenden Erfindung sind kontrollierbare, von einem Hochspannungswiderstand und die von Sperrung einem niedrigeren Vorwärtsspannungsabfall gleichzeitig