A method for processing a semiconductor substrate is presented wherein an alignment mark is formed in an alignment mark area of the semiconductor substrate. The alignment mark area is contained within a window area of the semiconductor substrate. The upper surface of the semiconductor substrate within the window area is recessed below the upper surface of the semiconductor substrate outside of the window area, preferably by exposing the upper surface of the semiconductor substrate within the window area to an etchant. Such recession forms an alignment mark trench within the window area. Being substantially recessed below the original surface of the semiconductor substrate, an alignment mark formed in such a manner may be substantially protected from chemical-mechanical polishing damage during subsequent processing steps.

Eine Methode für die Verarbeitung eines Halbleitersubstrates wird dargestellt, worin ein Vorschubzeichen in einem Vorschubzeichenbereich des Halbleitersubstrates gebildet wird. Der Vorschubzeichenbereich wird innerhalb eines Fensterbereichs des Halbleitersubstrates enthalten. Die Oberfläche des Halbleitersubstrates innerhalb des Fensterbereichs wird unterhalb der Oberfläche des Halbleitersubstrates außerhalb des Fensterbereichs, vorzugsweise vertieft, indem man die Oberfläche des Halbleitersubstrates innerhalb des Fensterbereichs einem etchant aussetzt. Solche Rezession bildet einen Vorschubzeichengraben innerhalb des Fensterbereichs. Im wesentlichen, vertiefend unterhalb der ursprünglichen Oberfläche des Halbleitersubstrates, kann ein Vorschubzeichen, das in solch einer Weise gebildet wird, vor Chemikalie-mechanischer Polierbeschädigung während der folgenden Verarbeitungsschritte im wesentlichen geschützt werden.